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浙江高等教育自学考试线性电子电路试题

一、填空题（每小题2分，共20分）

1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成______电流，由外电场引起载流子运动，形成______电流。

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结具有电容特性，正偏时以______电容为主，反偏时以______电容为主。

3.晶体三极管的ICBO是指______极开路的情况下，______的电流。

4.已知某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在______区，是由______材料制造的。

S管作为开关应用时，其工作状态应在______和______之间转换。

6.就VGS而言，增强型MOS管是______极性的，而耗尽型MOS管是______极性的。

7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______.

8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为______失真，这时输出信号中将产生______频率成份。

9.反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是______.这种反馈可以使放大电路的输入电阻______.

10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入______负反馈，若要稳定输出电流应引入______负反馈。

二、单项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分）

1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象 （ ）

A.雪崩击穿 B.齐纳击穿

C.热击穿 D.碰撞击穿

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2.一个硅二极管在正向电压VD=0.6V时，正向电流ID为10mA，若VD增大到0.66V（即增加10%），则电流ID（ ）。

A.约为11mA（也增加10%）

B.约为20mA（增大1倍）

C.约为100mA（增大到原先的10倍）

D.仍为10mA（基本不变登车桥）

3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则（ ）。

A.管子深饱和 B.发射结反偏

C.管子截止 D.集电结烧坏

4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则可判断该管的材料和类型是（ ）。

A.硅、NPN B.硅、PNP

C.锗、NPN D.锗、PNP

5.场效应管是一种（ ）。

A.电压控制器件 B.电流控制器件

C.双极型器件 D.少子工作的器件

6.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个（ ）。

A.P沟道结型管 B.N沟道结型管

C.P沟道耗尽型MOS管 D.N沟道增强型MOS管

7.需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，请选择（ ）。

A.共射放大 B.共基放大

C.共集放大 D.共源放大

8.电容耦合放大电路（ ）。

A.只能放大定子铁芯直流信号

B.只能放大缓变信号

C.只能放大交变信号

D.既能放大直流信号又能放大交流信号

9.要得到一个由电流控制的电压源，应选（ ）负反馈形式。

A.电压串联 B.电压并联

C电脑桌面.电流串联 D.电流并联

10.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，

但基本放大器（ ）。

A.可以去掉 B.不能去掉 C.不一定 D.并不重要

三、简答题（每小题5分，共15分）

1.已知晶体三极管的静态工作电流ICQ=1mA，｜VA｜=100V，β=100， =100Ω，制成的成品可以使终究重量减轻20%试画出低频小信号混合π型等效电路，并求出gm，rb′e 、rce的值。

2.电路如图三（2）所示，设MOS管的 Cox（w/l）=40μA/V2，VGS（th）=-1V，试求V0和ID的值。

3.一电流源电路如图三（3）所示，设T1，T2管参数相同，β=100，VBE=-0.6V.若要使IC2=1mA，VC2≤12V，且R1=R2，试确定电阻R1、R2的最大允许值。

四、分析计算题（每小题9分，共45分）

1.放大电路如图四（1）所示，已知三极管的β=80，rbe=2.2kΩ，

求（1）放大器的输入电阻Ri；

（2）从射极输出时的Au2和R02；

（3）从集电极输出时的Au1和R01.

排除方法：检查实验机是不是水平 2.放大电路如图四（2）所示，设各管的β=100，VBE=0.7V， =200Ω。试

（1）求T2管的静态工作点（ICQ2、VCQ2）；

（2）估算放大器的电压增益Av；

（3）求放大器输出电阻R0.

3.放大电路如图四（3）所示，所有电容对交流视作螺线管短路，

（1）判断级间反馈的类型和极性。

（2）计算在深负反馈条件下，源电压增益Avfs=v0/vS的表达式。

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